Патент на винахід № 72073
Поширити
СПОСІБ ОТРИМАННЯ КРЕМНІЄВОГО МДН-ТРАНЗИСТОРА
Документи:
Винахід відноситься до галузі матеріалознавства і може бути використаний в радіоелектронному, напівпровідниковому та оптоелектронному приладобудуванні. Кремнієвий МДН-транзистор отримують формуючи пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом дифузії бору і формуючи електроди стоку і витоку, формують підзатворний діелектрик на основі SiO2 і затворний електрод, проводять процеси пасивації. Отриману транзисторну структуру з довжиною каналу 3-10 мкм і шириною 50 мкм опромінюють рентгенівськими променями при потужності експозиційної дози немонохроматизованого випромінювання 870 Р/с протягом 5-20 хвилин, причому опромінення проводять при температурі 430К0 і на затвор МДН-транзистора подають від'ємне зміщення величиною 10 В. Такий режим опромінення приводить до покращення електричних параметрів МДН-транзисторів та їх експлуатаційних характеристик: зменшення густини поверхневих станів, зменшення величини порогової напруги та підвищення радіаційної стійкості.
The proposed method for producing a silicon MIS field-effect transistor consists in forming paired areas of n+ conductivity on the surface of a silicon p-type substrate by boron diffusion, forming the drain, source, a layer of silicon oxide (SiO2) under the gate, and the gate of the transistor, and providing the passivation of the transistor structure. The transistor structure with the channel length of 3 ... 10 em and width of 50 mm is exposed to X-radiation for 5 ... 20 minutes, with the radiation dose power of 870 R/s, at a temperature of 430 K, and a bias voltage of 10 V at the transistor gate. The exposition of the transistor structure to X-radiation provides the possibility to improve the parameters and performance, increase the threshold voltage, and enhance the radiation resistance of the transistor.
Предлагаемый способ изготовления кремниевого МДП-транзистора заключается в том, что формируют парные области с проводимостью n+ на поверхности кремниевой подложки с проводимостью p-типа с помощью диффузии бора, формируют сток, исток, слой оксида кремния SiO2 под затвором и затвор транзистора, а также обеспечивают пассивацию транзисторной структуры. Полученную транзисторную структуру с длиной канала 3 ... 10 мкм и шириной 50 мкм подвергают воздействию рентгеновского излучения при мощности дозы излучения 870 Р/с, в течение 5 ... 20 минут, при температуре 430 К и напряжении смещения 10 В на затворе транзистора. Воздействие рентгеновского излучения позволяет улучшить параметры и рабочие характеристики, увеличить пороговое напряжение и повысить радиационную стойкость транзистора.