Патент на винахід № 15332
Поширити
СПОСІБ ВИЗHАЧЕHHЯ КОHЦЕHТРАЦІЇ ТА РУХЛИВОСТІ HОСІЇВ ЗАРЯДІВ В ПОЛЯРHИХ HАПІВПРОВІДHИКОВИХ МАТЕРІАЛАХ
Документи:
Винахід стосується оптичних методів вимірювання електрофізичних властивостей полярних напівпровідникових матеріалів. Спосіб включає вимірювання коефіцієнта відбиття опроміненої електромагнітним випромінюванням ІЧ діапазону поверхні напівпровідникового матеріалу й порівняння його до значення градуювальної кривої.
The invention relates to optical methods for measurement of electro-physical properties of polar semiconductor materials. The method includes measurement of reflection coefficient of surface of semiconductor material radiated with electromagnetic radiation in IR range with its comparison to value of calibration curve.
Изобретение относится к оптическим методам измерения электрофизических свойств полярных полупроводниковых материалов. Способ включает измерение коэффициента отражения облученной электромагнитным излучением ПК диапазона поверхности полупроводникового материала и сравнение его со значением градуировочной кривой.