Міжн. реєстрація № 1411264 fbПоширити

(540)
Зображення знака
FLASHBOLT
(151)
Дата реєстрації
18.04.2018
(180)
Очікувана дата закінчення строку дії реєстрації/продовження
18.04.2028
(270)
Мова заявки
Англійська
(732)
Ім'я та адреса власника реєстрації

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
129, Samsung-ro,
Yeongtong-gu,
Suwon-si
Gyeonggi-do (KR)

(740)
Ім'я та адреса представника

Y.P.LEE, MOCK & PARTNERS
12F, Daelim Acrotel,
13 Eonju-ro 30-gil,
Gangnam-gu
Seoul (KR)

(511)
Індекси Міжнародної класифікації товарів і послуг (Ніццької класифікації) та перелік товарів і послуг
Кл.09

Англ.Dynamic random access memory (DRAM) with high bandwidth for use in high performance computing equipment, artificial intelligence, and supercomputing equipment; dynamic random access memory (DRAM) with high bandwidth for use in graphic cards; dynamic random access memory (DRAM) modules with high bandwidth for use in high performance computing equipment, artificial intelligence, and supercomputing equipment.

(821)
Базова заявка
KR, 24.10.2017, 4020170134396
(300)
Дані щодо пріоритету відповідно до Паризької конвенції
KR, 24.10.2017, 4020170134396
(832)
Зазначено відповідно до Мадридського Протоколу
AU · CO · EG · IN · KH · KZ · MX · NO · NZ · PH · RU · SG · TH · TR · UA · VN
(527)
Зазначення щодо вимог, які стосуються використання
IN · NZ · SG